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512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020 / SST25WF040
Data Sheet
DC Characteristics
Table 16: DC Operating Characteristics
Limits
Symbol
I DDR
Parameter
Read Current
Min
Typ 1
2
Max
5
Units
mA
Test Conditions
CE#=0.1 V DD /0.9 V DD @20 MHz,
SO=open
I DDR2
Read Current
4
10
mA
CE#=0.1 V DD /0.9V DD @40 MHz,
SO=open
I DDW
I SB
Program and Erase Current
Standby Current
6
2
10
8
mA
μA
CE#=V DD
CE#=V DD , V IN =V DD or V SS
I LI
I LO
V IL
V IH
V OL
V OH
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7 V DD
V DD -0.2
1
1
0.3
0.2
μA
μA
V
V
V
V
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T16.0 25016
1. Value characterized, not fully tested in production.
Table 17: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C OUT1
Description
Output Pin Capacitance
Test Condition
V OUT = 0V
Maximum
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T17.0 25016
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 18: Reliability Characteristics
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
N END
T DR1
I LTH1
1
Endurance
Data Retention
Latch Up
100,000
100
100 + I DD
Cycles
Years
mA
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T18.0 25016
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
28
DS25016A
06/11
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